10 صفحه ترجمه + متن لاتین

چکیده:

اثرات القا شده ناشی از میدان مغناطیسی ر رشد فیلم اکسید بر روی الومینیوم در اسید فسفریک ، اگزالیک، و سولفوریک و سولفامیک وتغییرات گذرادر جریان انودیزینگ مجدد از فیلم الومینا در الکترولیت نوع مانع مورد مطالعه قرار گرفت. فیلم های الومینیوم با ضخامت 100 نانو متر بر روی بستر های Siاماده شدند. توانستیم نشان دهیم که افزایش طول مدت فرایند انودایزه شده در جریان اندیزینگ در اسید سولفوریک 32 درصد هنگامی که یک میدان مغناطیسی اعمال شد در مقایسه با روند بدون میدان مغناطیسی بود. جالب است چنین اثر میدان مغناطیسی در جریان اندیزینگ اگزالیک و سولفامیک یافت نشد. در اگزالیک حدود فواصل منافذ 17 درصد کاهش یافت. این یافته ها منسوب به تغییرات در خواص الکترونیکی از فیلم اکسید اندی در الکترولیت های مختلف تشکیل شده وبر اساس نفوذ الکترون های به دام افتاده در یون های مهاجر در رشد فیلم می باشد.چرخه وابسته به تونلینگ الکترون ها به درون لایه سطحی از اکسید تحت میدان مغناطیسی می تواند برای تغییرات گذرای فعلی در جریان انودیزینگ در اگزالیک تحت گرما و اسید فسفریک پاسخگو باشد.