5 صفحه ترجمه + متن لاتین

چکیده:

این سیمهای سیلیکونی در روکش سیلیکا به کمک روش مؤلفه محدود در این مقاله شبیه سازی شده است. الگوهای میدان الکتریکی طولی و عرضی تحلیل شده اند و مشاهده شد که بعد کوچکتر هسته به میدان طولی بیشتر می انجامد.

مهندسی پاشیدگی از طریق ساختار سیم نانو بررسی شده است. مشخص شده است که بعد هسته کوچکتر به افتراق بیشتر می انجامد. روش رسیدن به افتراق صفر در منطقه ارتباطات نوری و مادون قرمز مطرح شده است.

کلید واژه ها: میدان الکتریکی طولی، سیم نانو، ابزار نانو فوتون و طول موج، افتراق صفر.